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TPS53353DQPR,集成電路的封裝種類①直插式封裝直插式封裝集成電路是引腳插入印制板中,然后再焊接的一種集成電路封裝形式,主要有單列式封裝和雙列直插式封裝。其中單列式封裝有單列直插式封裝(SingleInlinePackage,縮寫為SIP和單列直插式封裝(Zig-ZagInlinePackage,縮寫為ZIP),單列直插式封裝的集成電路只有一排引腳,單列曲插式封裝的集成電路一排引腳又分成兩排進(jìn)行安裝。雙列直插式封裝又稱DIP封裝(DualInlinePackage),這種封裝的集成電路具有兩排引腳。適合PCB的穿孔安裝;易于對(duì)PCB布線;安裝方便。雙列直插式封裝的結(jié)構(gòu)形式主要有多層陶瓷雙列直插式封裝、單層陶瓷雙列直插式封裝、引線框架式封裝等。小規(guī)模集成電路迅速發(fā)展到大規(guī)模集成電路,使電子產(chǎn)品向著高效能低能耗高精度高穩(wěn)定智能化的方向發(fā)展。北京貿(mào)易TPS53353DQPR分銷商
在使用TPS53353DQPR開始布局工作之前,必須考慮某些要點(diǎn)。
電源部件應(yīng)放置在PCB的一側(cè)(焊接側(cè))。應(yīng)插入至少一個(gè)內(nèi)部平面,并將其接地,以屏蔽和隔離小信號(hào)跡線與噪聲電源線。
所有敏感的模擬跡線和組件,如VFB、PGOOD、TRIP、MODE和RF,應(yīng)遠(yuǎn)離高壓開關(guān)節(jié)點(diǎn),如LL、VBST,以避免耦合。使用內(nèi)層作為接地平面,并屏蔽電源跡線和組件的反饋跡線。
將VIN去耦電容器盡可能靠近VIN和PGND引腳,以至大限度地減少輸入交流電流回路。
因?yàn)門PS53353DQPR根據(jù)VOUT電容器兩端的電壓控制輸出電壓,所以分壓器的頂側(cè)電阻器應(yīng)連接到VOUT電容的正節(jié)點(diǎn)。底側(cè)電阻器的GND應(yīng)連接到設(shè)備的GND焊盤。從這些電阻器到VFB引腳的跡線應(yīng)該短而薄。
將頻率設(shè)置電阻器(RF)、OCP設(shè)置電阻器(RTRIP)和模式設(shè)置電阻器(RMODE)盡可能靠近設(shè)備。如果適用,使用公共GND過孔將它們連接到GND平面。
將VDD和VREG去耦電容器盡可能靠近設(shè)備。確保為每個(gè)去耦電容器提供GND過孔,并使環(huán)路盡可能小。
定義為開關(guān)節(jié)點(diǎn)的PCB跡線,連接LL引腳和電感器的高壓側(cè),應(yīng)盡可能短和寬。
從陶瓷輸出電容器的端子連接紋波注入VOUT信號(hào)(圖8-4中C1電容器的VOUT側(cè))。交流耦合電容器應(yīng)放置在設(shè)備附近,R7和C1可放置在功率級(jí)附近。
上??孔V渠道TPS53353DQPR性價(jià)比電子元件的基礎(chǔ)是電阻器。將電阻引入電路中的無源電子元件。使用電阻器可以減少電流,晶體管的設(shè)置偏置等。
TPS53353DQPR
降壓開關(guān)穩(wěn)壓器,矩形脈沖被提供給晶體管的基極。在脈沖的每個(gè)周期期間,晶體管在飽和和截止之間變化。這會(huì)在LC濾波器的輸入端產(chǎn)生矩形電壓。阻斷濾波器輸入電壓的交流分量,允許直流分量通過濾波器。當(dāng)晶體管保持開關(guān)時(shí),平均值總是小于輸入電壓。
升壓開關(guān)穩(wěn)壓器,矩形脈沖被提供給晶體管的基極。在脈沖的每個(gè)周期期間,晶體管在飽和和截止之間變化。當(dāng)晶體管飽和時(shí),電流流過電感器。當(dāng)晶體管切換到截止時(shí),由于其周圍的磁場(chǎng)突然崩潰,將在電感線圈上感應(yīng)出大的電壓。因此,電流保持在相同方向上流動(dòng)。該電路稱為“升壓”開關(guān)調(diào)節(jié)器,因?yàn)殡姼衅鞲袘?yīng)的電壓將大于輸入電壓。
極性反轉(zhuǎn)開關(guān)穩(wěn)壓,當(dāng)晶體管飽和時(shí),電流流過電感。當(dāng)晶體管切換到截止時(shí),由于其周圍的磁場(chǎng)突然崩潰,將在電感線圈上感應(yīng)出大的電壓。因此,電流保持在同一方向流動(dòng)。由于晶體管截止,的路徑是通過電容器。如果檢查通過電容器的充電電流的方向,則發(fā)現(xiàn)輸出電壓為負(fù)。
TPS53353DQPR是一種D-CAPTM模式,20-a同步切換器,帶有集成MOSFET。它是為易于使用、低外部組件數(shù)量和空間意識(shí)電源系統(tǒng)而設(shè)計(jì)的。該器件具有5.5-mΩ/2.2-mΩ集成MOSFET、精確1%、0.6-V參考電壓和集成升壓開關(guān)。具有競(jìng)爭(zhēng)力的功能包括:1.5V至15V的轉(zhuǎn)換輸入電壓范圍,非常低的外部元件數(shù)量,用于超快瞬態(tài)的D-CAPTM模式控制,自動(dòng)跳過模式操作,內(nèi)部軟啟動(dòng)控制,可選擇頻率,無需補(bǔ)償。轉(zhuǎn)換輸入電壓范圍為1.5伏至15伏,電源電壓范圍為4.5伏至25伏,輸出電壓范圍為0.6伏至5.5伏。集成電路英文為縮寫為IC,也俗稱芯片。在電路中用“U”表示。
TPS53353DQPR,集成電路的封裝種類,厚膜封裝厚膜集成電路就是把的集成電路芯片與相關(guān)的電容、電阻元件都集成在一個(gè)基板上,然后在其外部采用標(biāo)準(zhǔn)的封裝形式,并引出引腳的一種模塊化的集成電路。
復(fù)合器件指由多個(gè)相同或不同器件制造或組合在一起的器件,稱為復(fù)合器件。
電阻復(fù)合采用多個(gè)阻值完全相同的電阻把一端并接在一起作為公共端構(gòu)成的電阻排。
電容復(fù)合采用多個(gè)容量完全相同的單體電容把其一端并接起來作為公共端構(gòu)成的電容排或者在同一制造中封裝在一起構(gòu)成。
電感與電容復(fù)合指把多個(gè)電感線圈與電容按一定連接方式連接在一起構(gòu)成,多用于濾波器。
半橋堆由兩個(gè)整流二極管封裝在一起構(gòu)成,多用于整流電路等。
全橋堆簡(jiǎn)稱橋堆,由四個(gè)整流二極管按一定方式連接在一起構(gòu)成,常用于整流電路中。
帶分壓電阻(帶阻)三極管指基極與發(fā)射極之間接有分壓電阻的三極管。
帶阻尼二管及分流電阻的三極管
復(fù)合管(達(dá)林頓管)由兩個(gè)三極管復(fù)合而成,復(fù)合管的極性與前管極性相同,復(fù)合管的放大倍數(shù)為兩管放大倍數(shù)乘積。
光電耦合器把一個(gè)發(fā)光二極管和一個(gè)光敏三極管封裝在一起構(gòu)成光電耦合器。常見有四腳光電耦合器和六腳光電耦合器。集成電路按其功能、結(jié)構(gòu)的不同,可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路和數(shù)/?;旌霞呻娐啡箢悺K拇孔V渠道TPS53353DQPR性價(jià)比
普通的電阻電容晶體管等單個(gè)電子元件統(tǒng)稱分立元件。分立元件就是功能單一,內(nèi)部無其它元件功能單元。北京貿(mào)易TPS53353DQPR分銷商
TPS53353DQPR,集成電路,電感器的種類:
空芯電感:指線圈繞在空心支架上或直接繞制而成的電感。
磁芯電感:指線圈繞在磁芯上(即線圈里面有磁芯)形成的。
銅芯電感:指線圈繞在銅芯上的電感。
鐵芯電感:指線圈繞在鐵芯上的電感。
帶抽頭電感:指線圈上抽出一個(gè)或多個(gè)抽頭的電感。
電感的特性具有通直流阻交流,通低頻阻高頻的特性。
電感的自感作用當(dāng)通過電感線圈的電流發(fā)生變化時(shí),線圈將產(chǎn)生一個(gè)自感電動(dòng)勢(shì)來阻礙電流的變化,這種作用叫電感的自感作用。北京貿(mào)易TPS53353DQPR分銷商
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液晶是這樣一種有機(jī)化合物,在常溫條件下,呈現(xiàn)出既有液體的流動(dòng)性,又有晶體的光學(xué)各向異性,因而稱為“液晶”.在電場(chǎng)、磁場(chǎng)、溫度、應(yīng)力等外部條件的影響下,其分子容易發(fā)生再排列,使液晶的各種光學(xué)性質(zhì)隨之發(fā)生 。
智能開啟安全閥的方法,包括上述的一種智能燃?xì)獍踩y,包括以下步驟:s1:閥門關(guān)閉狀態(tài)下,獲得環(huán)境溫度壓力傳感器采集的壓力數(shù)值pe1,獲得出氣溫度壓力傳感器采集的壓力數(shù)值po1,則出氣口相對(duì)壓力pob1 。
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合金戶外地板也稱戶外合金地板,采用德國(guó)先進(jìn)的環(huán)保設(shè)計(jì)理念,地板基材鋁合金,面層高分子彈性體,通過高溫共擠工藝,制作而成的一代的戶外地板。概念:鋁合金和高分子材料的結(jié)合材料優(yōu)點(diǎn):高耐久,高耐候,度,免維 。